اپتوکانتر TP806 یک سنسور نوری U شکل است که شامل یک دیود مادون قرمز (Infrared GaAs LED) بهعنوان فرستنده و یک فوتوترانزیستور NPN بهعنوان گیرنده میباشد. با عبور یک مانع نوری (مثل شیار دیسک یا پره چرخنده) از بین شکاف، پرتو نوری قطع شده و تغییر وضعیت خروجی رخ میدهد. این قطعه به دلیل سرعت پاسخدهی بالا، برای کاربردهایی مانند شمارندههای چرخشی، چاپگر، دستگاههای فکس و اسکنرها بسیار مناسب است. بدنه مشکی این اپتوکانتر باعث کاهش اثر نور محیط و افزایش دقت عملکرد میشود.
مشخصات
- نوع قطعه: اپتوکانتر نوری U شکل
- نوع خروجی: فوتوترانزیستور NPN
- عرض شیار اپتیکی: استاندارد برای دیسکهای شمارنده (حدود 3 میلیمتر)
- نوع دیود نوری: GaAs Infrared LED
- ولتاژ مستقیم دیود نوری: 1.2 تا 1.35 ولت در جریان 20 میلیآمپر
- جریان معکوس دیود نوری: حداکثر 100 میکروآمپر در 5 ولت معکوس
- حداکثر جریان مستقیم دیود: 50 میلیآمپر
- پیک جریان پالسی دیود: 3 آمپر (پالس 1μs، تکرار 300Hz)
- توان مصرفی دیود نوری: حداکثر 175 میلیوات
- ولتاژ شکست کلکتور-امیتر: حداقل 30 ولت
- ولتاژ شکست امیتر-کلکتور: حداقل 5 ولت
- جریان تاریک (Dark Current): حداکثر 100 نانوآمپر در VCE=10V
- ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر: حداکثر 0.4 ولت در جریان 0.2 میلیآمپر و جریان LED برابر 20 میلیآمپر
- جریان خروجی در حالت روشن: حداقل 0.8 میلیآمپر
- محدوده دمای کاری: 40- تا 85+ درجه سانتیگراد
- محدوده دمای نگهداری: 50- تا 100+ درجه سانتیگراد
- نوع نصب: نصب مستقیم روی برد یا سوکت Dual Inline
- جنس بدنه: پلاستیک مشکی مقاوم در برابر نور محیط
کاربردهای رایج
این سنسور برای تشخیص عبور اشیاء یا شیارها در مسیر نوری و تعیین موقعیت، سرعت یا تعداد مناسب است.
- دستگاههای پرینتر و اسکنر
- فکس و دستگاههای دفتری مکانیکی
- سیستمهای شمارش قطعات در تولید
- شمارنده دور موتور
- حسگر تشخیص موقعیت در تجهیزات CNC
- رباتیک آموزشی و صنعتی
- تشخیص عبور اجسام در نوار نقاله
- موقعیتیاب مکانیکی در بازوهای رباتیک
- کنترلرهای هوشمند برای حرکت خطی
- پروژههای میکروکنترلری برای سنجش عبور یا توقف
Specification
IR Diode Continuous Forward Current: 50 mA
IR Diode Reverse Voltage: 5 V
Transistor Collector Currant: 20 mA
Transistor Power Dissipation: 100 mW
IR Diode Peak Power Currant(Pulse Wide = 1μS, 300 pps): 3 A
Diode Power Dissipation: 175 mW
Phototransistor Collector-Emitter Voltage: 30V
Phototransistor Emitter-Collector Voltage: 5V
Operating Temperature Range: -40℃to + 85℃
Storage Temperature Range: -50℃to + 100℃
